Preview

Ядерная физика и инжиниринг

Расширенный поиск

МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИНАМИКИ ЗАРЯДА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СЛОЯ ФОТОКАТОДА

https://doi.org/10.56304/S207956292405049X

EDN: CCYDKM

Аннотация

В качестве развития ранее описанного подхода рассмотрено влияние генерации электронов проводимости за счет лазерно-индуцированного фотоэффекта на динамику заряда полупроводникового слоя фотокатода q(t). Получено качественное и количественное согласие зависимости q(t) с численным экспериментом.

Об авторах

М. В. Владимиров
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Россия


С. М. Полозов
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Россия


В. И. Ращиков
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Россия


Список литературы

1. Hernandez-Garcia C., O Shea P.G., Stutzman M.L. // Phys. Today. 2008. V. 61 (2). P. 44.

2. Bossart R. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 1996. V. 375 (1–3). P. ABS7–ABS8.

3. Chen Y. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 2018. V. 889. P. 129–137.

4. Levichev E.B. // Phys. Usp. 2018. V. 61 (1). P. 29.

5. Stragier X.F.D. et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110 (2). P. 024910.

6. Krasilnikov M. et al. // Phys. Rev. Spec. Top. Accel. Beams. 2012. V. 15 (10). P. 100701.

7. Schaber J., Xiang R., Gaponik N. // J. Mater. Chem. C. 2023. V. 11 (9). P. 3162−3179.

8. Polozov S.M., Rashchikov V.I. // Cybern. Phys. 2020. V. 9 (2). P. 103–106.

9. Красильников М., Полозов С.М., Ращиков В.И. // Ядерная физика и инжиниринг. 2022. Т. 13 (1). С. 73−78 [Krasilnikov M., Polozov S.M., Rashchikov V.I. // Phys. At. Nucl. 2021. V. 84 (11). P. 1881–1885].

10. Владимиров М.В., Полозов С.М., Ращиков В.И. // Ядерная физика и инжиниринг. 2023. Т. 14 (4). С. 389−393 [Vladimirov M.V., Polozov S.M., Rashchikov V.I. // Phys. At. Nucl. 2022. V. 85 (12). P. 2032–2035].


Рецензия

Для цитирования:


Владимиров М.В., Полозов С.М., Ращиков В.И. МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИНАМИКИ ЗАРЯДА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СЛОЯ ФОТОКАТОДА. Ядерная физика и инжиниринг. 2024;15(5):450-456. https://doi.org/10.56304/S207956292405049X. EDN: CCYDKM

For citation:


Vladimirov M.V., Polozov S.M., Rashchikov V.I. Simulation of Charge Dynamics of a Photocathode Semiconductor Layer. Nuclear Physics and Engineering. 2024;15(5):450-456. (In Russ.) https://doi.org/10.56304/S207956292405049X. EDN: CCYDKM

Просмотров: 19


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2079-5629 (Print)
ISSN 2079-5637 (Online)