npeЯдерная физика и инжинирингNuclear Physics and Engineering2079-56292079-5637МИФИ10.56304/S207956292405049XCCYDKMnpe-383Research ArticleМатематическое моделирование в ядерных технологияхMathematical Modeling in Nuclear TechnologiesМОДЕЛИРОВАНИЕ ДИНАМИКИ ЗАРЯДА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СЛОЯ ФОТОКАТОДАSimulation of Charge Dynamics of a Photocathode Semiconductor LayerВладимировМ. В.VladimirovM. V.MVVladimirov@mephi.ruПолозовС. М.PolozovS. M.MVVladimirov@mephi.ruРащиковВ. И.RashchikovV. I.MVVladimirov@mephi.ruНациональный исследовательский ядерный университет “МИФИ”РоссияNational Research Nuclear University MEPHI (Moscow Engineering Physics Institute)Russian Federation202420122024155450456Copyright © Владимиров М.В., Полозов С.М., Ращиков В.И., 20242024Владимиров М.В., Полозов С.М., Ращиков В.И.Vladimirov M.V., Polozov S.M., Rashchikov V.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://npe.elpub.ru/jour/article/view/383

В качестве развития ранее описанного подхода рассмотрено влияние генерации электронов проводимости за счет лазерно-индуцированного фотоэффекта на динамику заряда полупроводникового слоя фотокатода q(t). Получено качественное и количественное согласие зависимости q(t) с численным экспериментом.

The impact of the generation of conduction electrons due to the laser-induced photoelectric effect on the charge dynamics of the semiconductor layer of the photocathode q(t) is considered. Qualitative and quantitative agreement between the dependence q(t) and the data of a numerical experiment has been achieved.

фотокатодэлектронные фотоинжекторыдиффузияфотоэффектphotocathodeelectron photoinjectorsdiffusionlaser induced photoeffectReferencesHernandez-Garcia C., O Shea P.G., Stutzman M.L. // Phys. Today. 2008. V. 61 (2). P. 44.Hernandez-Garcia C., O Shea P.G., Stutzman M.L. // Phys. Today. 2008. V. 61 (2). P. 44.Bossart R. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 1996. V. 375 (1–3). P. ABS7–ABS8.Bossart R. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 1996. V. 375 (1–3). P. ABS7–ABS8.Chen Y. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 2018. V. 889. P. 129–137.Chen Y. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 2018. V. 889. P. 129–137.Levichev E.B. // Phys. Usp. 2018. V. 61 (1). P. 29.Levichev E.B. // Phys. Usp. 2018. V. 61 (1). P. 29.Stragier X.F.D. et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110 (2). P. 024910.Stragier X.F.D. et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110 (2). P. 024910.Krasilnikov M. et al. // Phys. Rev. Spec. Top. Accel. Beams. 2012. V. 15 (10). P. 100701.Krasilnikov M. et al. // Phys. Rev. Spec. Top. Accel. Beams. 2012. V. 15 (10). P. 100701.Schaber J., Xiang R., Gaponik N. // J. Mater. Chem. C. 2023. V. 11 (9). P. 3162−3179.Schaber J., Xiang R., Gaponik N. // J. Mater. Chem. C. 2023. V. 11 (9). P. 3162−3179.Polozov S.M., Rashchikov V.I. // Cybern. Phys. 2020. V. 9 (2). P. 103–106.Polozov S.M., Rashchikov V.I. // Cybern. Phys. 2020. V. 9 (2). P. 103–106.Красильников М., Полозов С.М., Ращиков В.И. // Ядерная физика и инжиниринг. 2022. Т. 13 (1). С. 73−78 [Krasilnikov M., Polozov S.M., Rashchikov V.I. // Phys. At. Nucl. 2021. V. 84 (11). P. 1881–1885].Красильников М., Полозов С.М., Ращиков В.И. // Ядерная физика и инжиниринг. 2022. Т. 13 (1). С. 73−78 [Krasilnikov M., Polozov S.M., Rashchikov V.I. // Phys. At. Nucl. 2021. V. 84 (11). P. 1881–1885].Владимиров М.В., Полозов С.М., Ращиков В.И. // Ядерная физика и инжиниринг. 2023. Т. 14 (4). С. 389−393 [Vladimirov M.V., Polozov S.M., Rashchikov V.I. // Phys. At. Nucl. 2022. V. 85 (12). P. 2032–2035].Владимиров М.В., Полозов С.М., Ращиков В.И. // Ядерная физика и инжиниринг. 2023. Т. 14 (4). С. 389−393 [Vladimirov M.V., Polozov S.M., Rashchikov V.I. // Phys. At. Nucl. 2022. V. 85 (12). P. 2032–2035].

The authors declare that there are no conflicts of interest present.