Зарядовые свойства тория, имплантированного в оксид кремния
https://doi.org/10.1134/S2079562920040090
Аннотация
В рамках теории функционала плотности проведен о исследование атомов тория, имплантированных в оксид кремния. Изучены зарядовые свойства Th в соединениях ThO2:nSiO2 и Th:nSiO2, где Th выступает в качестве примеси внедрения и замещения в кристобалите. Проведена геометрическая оптимизация структур с учетом межэлектронных взаимодействий, исследовано самосогласованное распределение электронной плотности, оценены бейдеровские эффективные заряды.
Ключевые слова
торий-229,
ядерный переход,
фотоэлектронная спектроскопия,
оксид кремния,
теория функционала плотности,
распределение электронной плотности,
эффективный заряд
При поддержке: Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Российского научного фонда No. 19-72-30014.
Об авторах
У. Н. Курельчук
Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ
Россия
Россия
Каширское шоссе 31, Москва, 115409
П. В. Борисюк
Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ
Россия
Россия
Каширское шоссе 31, Москва, 115409
А. В. Николаев
Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ; Институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ им. М.С. Ломоносова
Россия
Россия
Каширское шоссе 31, Москва, 115409
Ленинские горы 1, Москва, 119991
Е. В. Ткаля
Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ; Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН; Институт проблем безопасного развития атомной энергетики РАН
Россия
Россия
Каширское шоссе 31, Москва, 115409
Ленинский пр. 53, Москва, 119991
Большая Тульская 52, Москва, 115191
Список литературы
1. Sikorsky T., Geist J. // Phys. Rev. Lett. 2020. V. 125. P. 142503.
2. Helmer R.G., Reich C.W. // Phys. Rev. C. 1994. V. 49. P. 1845.
3. Beck B.R., Becker J.A., Beiersdorfer P. et al. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 98. P. 142501.
4. Von der Wense L., Seiferle B., Laatiaoui M. et al. // Nature (London). 2016. V. 533. P. 47.
5. Seiferle B., Von der Wense L., Bilous P.V. et al. // Nature (London). 2019. V. 573. P. 243.
6. Strizhov V.F., Tkalya E.V. // Sov. Phys. JETP. 1991. V. 72. P. 387.
7. Tkalya E.V. // Sov. J. Nucl. Phys. 1992. V. 55 . P. 1611.
8. Tkalya E.V. // JETP Lett. 1992. V. 55. P. 211.
9. Kalman P., Keszthelyi T. // Phys. Rev. C. 1994. V. 49. P. 324.
10. Tkalya E.V., Varlamov V. O., Lomonosov V. V., Nikulin S. A. // Phys. Scr. 1996. V. 53. P. 296.
11. Porsev S.G., Flambaum V.V., Peik E., Tamm C. // Phys. Rev. Lett. 2010. V. 105. P. 182501.
12. Muller R.A., Volotka A.V., Surzhykov A. // Phys. Rev. A. 2019. V. 99. P. 042517.
13. Borisyuk P.V., Kolachevsky N.N., Taichenachev A.V., Tkalya E.V., Tolstikhina I.Y., Yudin V.I. // Phys. Rev. C. 2019. V. 100. P. 0 44306.
14. Dzyublik A.Y. // Phys. Rev. C. 2020. V. 102. P. 024604.
15. Dykhne A.M., Tkalya E.V. // JETP Lett. 1998. V. 67. P. 549.
16. Flambaum V.V. // Phys. Rev. Lett. 2006. V. 97. P. 092502.
17. Tkalya E.V. // Laser Phys 2004. V. 14. P. 360.
18. Arutyunyan R.V., Bolshov L.A., Vikharev V.D. et al. // Sov. J. Nucl. Phys. 1991. V. 53. P. 23.
19. Tkalya E.V. // Phys. Rev. A. 2007. V. 75. P. 022509.
20. Tkalya E.V. // Phys. Rev. Lett. 2018. V. 120. P. 122501.
21. Tkalya E.V. // Phys. Rev. Lett. 2020. V. 124. P. 242501.
22. Tkalya E.V. // JETP Lett. 2000. V. 71. P. 311.
23. Tkalya E.V., Zherikhin A.N., Zhudov V.I. // Phys. Rev. C. 2000. V. 61. P. 064308.
24. Peik E., Tamm C. // Europhys. Lett. 2003. V. 61. P. 181.
25. Campbell C.J., Radnaev A.G., Kuzmich A. et al. // Phys. Rev. Lett. 2012. V. 108. P. 120802.
26. Peik E., Okhapkin M. // C. R. Phys. 2015. V. 16. P. 516.
27. Tkalya E.V. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 106. P. 162501.
28. Tkalya E.V., Yatsenko L.P. // Laser Phys. Lett. 2013. V. 10. P. 105808.
29. Borisyuk P.V., Chubunova E.V., Kolachevsky N.N., Vasiliev O.S., Tkalya E.V. // Phys. Status Solidi A. 2020. V. 217. P. 1900551.
30. Beck B.R. et al . // Report LLNL-PROC-415170.
31. Borisyuk P.V., Chubunova E.V., Lebedinskii Y.Y., Tkalya E.V., Vasilyev O.S., Yakovlev V.P., Strugovshchikov E., Mamedov D., Pishtshev A., Karazhanov S.Z. // Laser Phys. Lett. 2018. V. 15. P. 056101.
32. Teterin Y.A., Utkin I.O., Melnikov I.V., Lebedev A.M., Teterin A.Y., Ivanov K.E., Nikitin A.S., Vukchevich L. // J. Struct. Chem. 2000. V. 41. P. 1167.
33. Bruggemann A.G. // Ann. Phys. 1935. V. 24. P. 636.
34. Бриггс Д., Сих М.П. // Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. 1987. Москва: Мир.
35. Sanville E., Kenny S.D., Smith R., Henkelman G. // J. Comput. Chem. 2007. V. 28. P. 5.
36. Tang W., Sanville E., Hekkelman G. // J. Phys.: Compute Mater. 2009. V. 21. P. 084204.
37. Giannozzi P. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2017. V. 29. P. 465901.
38. Aulbur W.G., Jöhnsson L., Wilkins J.W. // Solid State Phys. 2000. V. 54. P. 1.
39. Martin-Samos L., Bussi G., Ruini A., Molinari E., Caldas M. // J. Phys. Status Solidi B. 2011. V. 248. P. 1061.
40. Prandini G., Mazzaro A., Castelli I.E., Mounet N., Marzari N. // npj.Comput. Mater. 2018. V. 4. P. 72.
41. Lejaeghere K. et al. // Science (Washington, DC, USA). 2016. V. 351 (6280). P. 1415.
42. Materials Data on ThSiO 4 https://materialsproject.org/docs/calculations https://doi.org/10.17188/1295645
43. Broyden C.G. // IMA J. Appl. Math. 1970. V. 6(1). P. 76.
44. Fletcher R. // Comput. J. 1970. V. 13. P. 317.
45. Goldfarb D. // Math. Comput. 1970. V. 24. P. 23.
46. Shanno D.F. // Math. Comput. 1970. V. 24. P. 647.
47. Becke A.D., Edgecombe K.E. // J. Chem. Phys. 1990. V. 92. P. 5397.
48. Fuentealba P., Chamorro E., Santos J.C. // Theor. Comput. Chem. 2007. V. 19. P. 57.
Рецензия
Для цитирования:
Курельчук У.Н., Борисюк П.В., Николаев А.В., Ткаля Е.В. Зарядовые свойства тория, имплантированного в оксид кремния. Ядерная физика и инжиниринг. 2020;11(5):271-277. https://doi.org/10.1134/S2079562920040090
For citation:
Kurelchuk U.N., Borisyuk P.V., Nikolaev A.V., Tkalya E.V. Charge Properties of Thorium Implanted in Silicon Oxide. Nuclear Physics and Engineering. 2020;11(5):271-277. (In Russ.) https://doi.org/10.1134/S2079562920040090
Просмотров:
30
Послать статью по эл. почте 