ЭЛЕКТРОННЫЕ И ЗАРЯДОВЫЕ СВОЙСТВА НАНОКЛАСТЕРОВ ТИТАНА РАЗМЕРАМИ 2 И 4 нм
https://doi.org/10.56304/S2079562923010165
Аннотация
В настоящей работе полуэмпирическими расчетными методами исследованы нанокластеры титана Ti115 и Ti935 размерами 2 и 4 нм, как отдельные, так и контактирующие – получена оптимальная геометрия, энергии и орбитали, изучены структурные, электронные, зарядовые свойства. Показано, что наибольшая электронная плотность как всех валентных, так и d-состояний локализована у поверхностей нанокластеров с наибольшей кривизной. Минимумы полной и d-электронной плотности локализованы преимущественно на атомах приповерхностного слоя поверхностей с наименьшей кривизной. Энергия связи, приходящаяся на атом, растет с ростом размеров НК, для отдельных НК она чуть выше, чем для системы из двух контактирующих НК. Плотность же электронных состояний системы контактирующих НК 2 нм не зависит от типа их контакта.
Ключевые слова
нанокластеры,
переходные металлы,
титан,
термо-фотовольтаика,
метод сильной связи,
электронная структура
При поддержке: Работа была поддержана грантом Российского научного фонда (проект № 21-72-10054)
Об авторах
У. Н. Курельчук
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, 115409 Россия
Россия
Россия
О. С. Васильев
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, 115409 Россия
Россия
Россия
П. В. Борисюк
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, 115409 Россия
Россия
Россия
Список литературы
1. <em>Bricchi B.R. et al.</em> // ACS App. Mater. Interfaces. 2022. V. 14 (16). P. 18453–18463.
2. <em>Rashidi A. et al.</em> // Nanotechnology. 2020. V. 31. P. 33570.
3. <em>Chen M., Chen X., Yan H., Zhou P.</em> // Physica E Low Dimens. Syst. Nanostruct. 2021. V. 126. P. 114471.
4. <em>Kutrovskaya S., Kucherik A., Osipov A., Samyshkin V., Istratov A., Kavokin A.V.</em> // Sci. Rep. 2019. V. 9. P. 7023.
5. <em>Hiratani M. et al.</em> // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81 (13). P. 2433.
6. <em>Meng Z. et al.</em> // Chem. Rev. 2019. V. 119 (1). P. 478.
7. <em>Tran R., Xu Z., Radhakrishnan B., Winston D., Sun W., Persson K.A., Ong Sh.P.</em> // Sci. Data. 2016. V. 3. P. 160080.
8. <em>Wen M. et al.</em> // Model. Simul. Mater. Sci. Eng. 2015. V. 23. P. 074008.
9. <em>Luschtinetz R. et al.</em> // J. Phys. Chem. C. 2009. V. 113 (14). P. 5730.
10. <em>Thompson A.P. et al.</em> // Comput. Phys. Commun. 2022. V. 271. P. 108171.
11. <em>Barca G.M.J. et al.</em> // J. Chem. Phys. 2020. V. 152. P. 154102.
12. <em>Bode B.M., Gordon M.S.</em> // J. Mol. Graph. Model. 1999. V. 16. P. 133–138.
Рецензия
Для цитирования:
Курельчук У.Н., Васильев О.С., Борисюк П.В. ЭЛЕКТРОННЫЕ И ЗАРЯДОВЫЕ СВОЙСТВА НАНОКЛАСТЕРОВ ТИТАНА РАЗМЕРАМИ 2 И 4 нм. Ядерная физика и инжиниринг. 2024;15(2):201-206. https://doi.org/10.56304/S2079562923010165
For citation:
Kurelchuk U.N., Vasilyev O.S., Borisyuk P.V. Electronic and Charge Properties of Titanium 2–4 nm Nanoclusters. Nuclear Physics and Engineering. 2024;15(2):201-206. (In Russ.) https://doi.org/10.56304/S2079562923010165
Просмотров:
19
Послать статью по эл. почте 