Preview

Ядерная физика и инжиниринг

Расширенный поиск

Оптимизация процедур изготовления композитных тонких пленок на основе перовскитных нанокристаллов CsPbBr3 для применения в светодиодах и фотоприемниках нового поколения

https://doi.org/10.56304/S2079562922030228

Аннотация

В настоящее время активно развиваются фундаментальные и прикладные исследования перовскитных нанокристаллов (ПНК) состава CsPbBr3 для использования в фотовольтаических ячейках, гибридных светодиодах, источниках единичных фотонов, базовых элементах оптических компьютеров и в других оптоэлектронных устройствах. Основной проблемой, ограничивающей применения ПНК, является их низкая стабильность в нормальных условиях. Одним из вариантов решения проблемы стабильности ПНК при контакте с атмосферой является создание композитных материалов, подразумевающих включение ПНК в полимерные матрицы. В настоящей работе представлены результаты экспериментов по созданию композитных тонких пленок (ТП) из ПНК и модифицированного полиметилметакрилата (ПММА). В частности, были изготовлены образцы стабильных во времени ТП CsPbBr3, обладающих высоким квантовым выходом фотолюминесценции, найдены оптимальные параметры для изготовления ТП методом вращающейся подложки (время вращения, скорость вращения, концентрация), а также получены ТП, характеризующиеся высокой гомогенностью пленочного покрытия. Последний фактор является важным критерием для применения ТП состава ПНК−ПММА в качестве активного слоя в гибридных светоизлучающих диодах QDLED (от англ. Quantum Dot Light-Emitting Diode). Кроме этого, поскольку ПНК являются перспективной основой сцинтилляционного покрытия детекторов, качество работы которых зависит от равномерности распределения люминофора в объеме сцинтиллятора (например, ПЗС-матриц), результаты настоящей работы могут быть использованы при разработке детекторов рентгеновского излучения медицинского назначения.

Об авторах

А. А. Кныш
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Россия

Москва, 115409



А. А. Ткач
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Россия

Москва, 115409



Д. Гулевич
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Россия

Москва, 115409



И. Набиев
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”; Университет Реймса, Шампань-Арденны, Реймс
Россия

Москва, 115409; Реймс, 51100



П. С. Самохвалов
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Россия

Москва, 115409



Список литературы

1. Liu R. et al. // Nanoscale. 2019. V. 11 (19). P. 9302– 9309.

2. Yan W. et al. // Opt. Express. 2020. V. 28 (10). P. 15706.

3. Song J. // Adv. Mater. 2018. V. 30 (30). P. 1800764.

4. Rainò G. et al. // Nano Lett. 2019. V. 19 (6). P. 3648– 3653.

5. Shamsi J. et al. // Chem. Rev. 2019. V. 119 (5). P. 3296– 3348.

6. Chen J. et al. // Chem. Rev. 2021. V. 121 (20). P. 12112– 12180.

7. Jiang G. et al. // ACS Nano. 2019. V. 13 (9). P. 10386– 10396.

8. Padilha G. da S. et al. // Polimeros. 2017. V. 27 (3). P. 195–200.

9. Chen H. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2018. V.

10. (34). P. 29076–29082. 10. Zvaigzne M. et al. // Nanomaterials. 2021. V. 11 (8). P. 2014.

11. Cheng X. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2018. V. 51 (40). P. 405103.

12. Pica G., Bajoni et al. // Struct. Dyn. 2022. V. 9 (1). P. 011101.

13. Elterman P. // Appl. Opt. 1970. V. 9 (9). P. 2140.


Рецензия

Для цитирования:


Кныш А.А., Ткач А.А., Гулевич Д., Набиев И., Самохвалов П.С. Оптимизация процедур изготовления композитных тонких пленок на основе перовскитных нанокристаллов CsPbBr3 для применения в светодиодах и фотоприемниках нового поколения. Ядерная физика и инжиниринг. 2022;13(5):439-445. https://doi.org/10.56304/S2079562922030228

For citation:


Knysh А.А., Tkach А.А., Gulevich D., Nabiev I., Samokhvalov Р.S. Optimization of CsPbBr3 Perovskite-Based Composite Thin Film Fabrication Processes for Use in New-Generation Light Emission Diodes and Photodetectors. Nuclear Physics and Engineering. 2022;13(5):439-445. (In Russ.) https://doi.org/10.56304/S2079562922030228

Просмотров: 33


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2079-5629 (Print)
ISSN 2079-5637 (Online)