Preview

Ядерная физика и инжиниринг

Расширенный поиск

Формирование слоев из самосвязанного SIC с помощью лазерного излучения

https://doi.org/10.56304/S2079562922050281

Аннотация

Исследована возможность получения изделий из самосвязанного карбида кремния с помощью лазерного излучения при отсутствии какой-либо дополнительной пропитки углеродсодержащими материалами после силицирования. Установлено, что благодаря управлению тепловым нагревом в каждой точке воздействия возможно последовательно за один цикл провести все необходимые этапы стандартной процедуры реакционного спекания и изменить традиционный подход формирования подобных изделий, использующий высокотемпературные нагревательные печи. Качество спекания определялось после вытравливания непрореагировавшего кремния несколькими лабораторными методами. Основное внимание уделялось исследованию мостиков между частицами из вторичного SiC как внутри слоев, так и на их границах, поскольку именно они определяют прочностные показатели создаваемого материала и позволяют соединять спекающиеся области между собой. После отработки всех необходимых этапов спекания у однослойных образцов была осуществлена попытка последовательного наращивания нескольких слоев, а также имитация процесса сварки двух заранее спеченных образцов.

Об авторах

С. А. Лысенко
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
Россия

Москва, 119991



Н. Н. Юрышев
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
Россия

Москва, 119991



Н. П. Вагин
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
Россия

Москва, 119991



Список литературы

1. Schlichting J., Riley F.L. Concise Encyclopedia of Advanced Ceramic Materials. 1991. Oxford: Pergamon.

2. Шелованова Г.Н. Современные проблемы микро- и наноэлектроники: учебное пособие. 2017. Красноярск: Сибирский федеральный университет.

3. Григорьев О.Н. // Порошковая металлургия. 2012. № 11. С. 100−116.

4. Гаршин А.П. и др. Керамика для машиностроения. 2003. Москва: Научтехлитиздат.

5. Frolova M.G. et al. // Inorg. Mater.: Appl. Res. 2018. V. 9. P. 675−678. https://doi.org/10.1134/S2075113318040123

6. Perevislov S.N., Bespalov I.A. // Tech. Phys. Lett. 2017. V. 43. P. 720−722.

7. Shikunov S.L., Kurlov V.N. // Tech. Phys. 2017. V. 62. P. 1869−1876.

8. Zhitnyuk S.V. et al. // Glass Ceram. 2013. V. 70 (7−8). P. 247−254. https://doi.org/10.1007/s10717-013-9554-1

9. Avrov D.D., Lebedev A.O., Tairov Yu.M. // Semiconductors. 2016. V. 50 (4). P. 494−501.

10. Shinozaki S.S., Carduner K.R. // Proc. Conf. Advanced Materials'93. 1994. P. 857−861.

11. Lebedev A.A. et al. // Materials. 2021. V. 14 (17). P. 4976. https://doi.org/10.3390/ma14174976

12. Сорокин О.Ю. // Авиационные материалы и технологии. 2015. № 1 (34). С. 65−70. https://doi.org/10.18577/2071-9140-2015-0-1-65-70

13. Boecker W.D. // Ceramic Forum Intern. 1997. V. 74 (5). P. 244−251.

14. Ивенин С.В. // Инженерные технологии и системы. 2015. Т. 25 (4). С. 37−50. https://doi.org/10.15507/0236-2910.025.201504.037

15. Гнесин Г.Г. Карбидокремниевые материалы. 1977. Москва: Металлургия. .

16. Snead L.L., Katoh Y., Nozawa T. // Compreh. Nucl. Mater. V. 4. 2012. P. 215−240. https://doi.org/10.1016/B978-0-08-056033-5.00093-8

17. Samoilov V.M., Porodzinskiy I.A. // Inorg. Mater. Appl. Res. 2014. V. 5 (5). P. 540−544. https://doi.org/10.1134/S2075113314050189

18. Maystrenko A.L., Kulich V.G., Tkach V.N. // J. Superhard Mater. 2009. V. 31 (1). P. 12−23. https://doi.org/10.3103/S1063457609010031

19. Verma A.R., Verma Q.R. Polymorphism and Polytypism in Crystals. 1996. New York: Wiley.


Рецензия

Для цитирования:


Лысенко С.А., Юрышев Н.Н., Вагин Н.П. Формирование слоев из самосвязанного SIC с помощью лазерного излучения. Ядерная физика и инжиниринг. 2023;14(2):173-180. https://doi.org/10.56304/S2079562922050281

For citation:


Lysenko S.A., Yuryshev N.N., Vagin N.P. Formation of Layers from Self-Bonded SiC Using Laser Radiation. Nuclear Physics and Engineering. 2023;14(2):173-180. (In Russ.) https://doi.org/10.56304/S2079562922050281

Просмотров: 28


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2079-5629 (Print)
ISSN 2079-5637 (Online)