Диффузионная модель для описания релаксационного процесса в обедненном электронами полупроводниковом слое фотокатода
https://doi.org/10.56304/S2079562922050529
Аннотация
В рамках построения модели фотоэмиссии пикосекундных электронных сгустков в присутствии сильного электромагнитного поля разработана диффузионная модель, позволяющая описывать заполнение электронами металлической подложки предварительно обедненного полупроводникового слоя фотокатода. С учетом и без учета внешнего электрического поля получены аналитические зависимости распределения концентрации электронов в полупроводниковом слое, а также временные зависимости заряда полупроводникового слоя. Показана принципиальная возможность определения времени релаксации – времени, за которое заряд полупроводникового слоя уменьшится до заданного уровня, – что является очередным шагом развития модели фотоэмиссии.
При поддержке: Работа выполнена в рамках проекта РФФИ № 19-29-12036.
Об авторах
М. В. Владимиров
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Россия
Россия
Москва, 115409
С. М. Полозов
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Россия
Россия
Москва, 115409
В. И. Ращиков
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Россия
Россия
Москва, 115409
Список литературы
1. Teichert J. et al. Report on Photocathodes. CARE Report-05-028-PHIN. 2004. Geneva: CERN.
2. Hernandez-Garcia C., O Shea P.G., Stutzman M.L. // Phys. Today. 2008. V. 61 (2). P. 44−49.
3. Polozov S.M., Rashchikov V.I., Krasilnikov M.I. // Proc. 12th Int. Particle Accelerator Conf. (IPAC’21). P. 2829–2832. https://doi.org/10.18429/JACoW-IPAC2021-WEPAB101
4. Красильников М., Полозов С.М., Ращиков В.И. // Ядерная физика и инжиниринг. 2022. Т. 13 (1). С.73−78 [Krasilnikov M., Polozov S.M., Rashchikov V.I. // Phys. At. Nucl. 2021. V. 84 (11). P. 1881–1885].
5. Kumar A., Jaiswal D.K., Kumar N. // Science (Washington, DC, U. S.). 2009. V. 118 (5). P. 539–549.
6. Golz W.J., Dorroh J.R. // Appl. Math. Lett. 2001. V. 14 (8). P. 983–988.
Рецензия
Для цитирования:
Владимиров М.В., Полозов С.М., Ращиков В.И. Диффузионная модель для описания релаксационного процесса в обедненном электронами полупроводниковом слое фотокатода. Ядерная физика и инжиниринг. 2023;14(4):389-393. https://doi.org/10.56304/S2079562922050529
For citation:
Vladimirov M.V., Polozov S.M., Rashchikov V.I. A Diffusion Model for Describing Relaxation Process in the Semiconductor Electron Depleted Layer of a Photocathode. Nuclear Physics and Engineering. 2023;14(4):389-393. (In Russ.) https://doi.org/10.56304/S2079562922050529
Просмотров:
35
Послать статью по эл. почте 