Как определить фактор фано в полупроводниковом материале из экспериментальных данных?
https://doi.org/10.56304/S2079562922050438
Аннотация
В настоящее время в литературе существуют формулы для определения фактора Фано в полупроводниковом материале из экспериментальных данных. Однако существующие формулы не учитывают вклад флуктуаций индуцированного заряда на электродах детектора, обусловленных захватом ловушками электронов и дырок, и вклад флуктуаций индуцированного заряда, обусловленных функцией распределения генерации электронно-дырочных пар в объеме полупроводникового детектора. В данной работе получена формула для энергетического разрешения полупроводникового детектора, которая позволяет определить вклады в энергетическое разрешение различных процессов и их зависимость от свойств полупроводникового материала детектора и характеристик регистрируемой частицы. Полученная формула для энергетического разрешения полупроводникового детектора позволяет сформулировать условия, при соблюдении которых из характеристик выходного сигнала можно извлечь информацию о факторе Фано и флуктуациях индуцированного заряда на электродах детектора, обусловленных захватом ловушками электронов и дырок, и функцией распределения генерации электронно-дырочных пар в объеме полупроводникового детектора. В качестве примера, в работе из экспериментальных данных определен фактор Фано в полупроводниковом материале CdTe.
Об авторе
В. В. Самедов
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Россия
Россия
Москва, 115409
Список литературы
1. Fano U. // Phys. Rev. 1946. V. 70. P. 44.
2. Fano U. // Phys. Rev. 1947. V. 72. P. 26.
3. Ricker G.R. et al. // Rev. Sci. Instrum. 1982. V. 53. P. 700.
4. Ishida N., Kikuchi J., Doke T. et al. // Phys. Rev. A. 1992. V. 46. P. 1676.
5. Lepi M.C. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 2000. V. 439. P. 239.
6. Lowe B.G., Sareen R.A. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 2007. V. 576. P. 367.
7. Owens A. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 2002. V. 484. P. 242.
8. Papp T. et al. // X-Ray Spectrom. 2005. V. 34. P. 106.
9. Owens A. Compound Semiconductor Radiation Detectors. 2012. Boca Raton: CRC Press.
10. Iwanczyk J.S., Schnepple W.F., Masterson M.J. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 1992. V. 322. P. 421.
11. Самедов В.В. // Ядерная физика и инжиниринг. 2023. Т. 14 (3). С. 248 [Samedov V.V. // Phys. At. Nucl. 2022. V. 85 (10). P. 1701].
12. Devanathan R. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 2006. V. 565. P. 637.
13. Самедов В.В. // Ядерная физика и инжиниринг. 2023. Т. 14 (2). С. 151 [Samedov V.V. // Phys. At. Nucl. 2022. V. 85 (10). P. 1520].
14. Самедов В.В. // Ядерная физика и инжиниринг. 2016. Т. 7 (4). С. 298 [Samedov V.V. // Phys. At. Nucl. 2017. V. 80 (9). P. 1489].
15. Феллер В. Введение в теорию вероятностей и ее приложения. 1968. Москва: Мир. Том 1.
16. Самедов В.В. // Ядерная физика и инжиниринг. 2015. Т. 6 (5−6). С. 279 [Samedov V.V. // Phys. At. Nucl. 2016. V. 79 (9). P. 1402].
17. Samedov V.V. // X-Ray Spectrom. 2011. V. 40. P. 7.
18. Sammartini M. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 2018. V. 910. P. 168.
19. Redus R.H. et al. // MRS Symp. Proc. 1997. V. 487. P. 101.
20. Bale G. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 1999. V. 436. P. 150.
21. Takahashi T. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2001. V. 48. P. 287.
22. Dabrowski A.J., Iwanczyk J., Triboulet R. // Nucl. Instrum. Methods. 1974. V. 118. P. 531.
23. Hubbell J.H., Seltzer S.M. // X-Ray Mass Attenuation Coefficients. NIST Standard Reference Data-base. 2004. No. 126.
24. Sammartini M. et al. // Proc. 2019 IEEE NSS-MIC Conf. 2019. P. 106.
25. Hecht K. // Zeitschr. Phys. 1932. V. 77. P. 235.
Рецензия
Для цитирования:
Самедов В.В. Как определить фактор фано в полупроводниковом материале из экспериментальных данных? Ядерная физика и инжиниринг. 2023;14(4):363-372. https://doi.org/10.56304/S2079562922050438
For citation:
Samedov V.V. How to Determine the Fano Factor in a Semiconductor Material from Experimental Data? Nuclear Physics and Engineering. 2023;14(4):363-372. (In Russ.) https://doi.org/10.56304/S2079562922050438
Просмотров:
44
Послать статью по эл. почте 