Предложен метод расчета многократного рассеяния ионов при прохождении тонких слоев дейтерида титана в виде суммы трех гауссовых распределений, дисперсии которых сравниваются при увеличении толщины слоя, и найденная форма углового распределения многократного рассеяния сводится к одному распределению Гаусса. При расчете однократного резерфордовского рассеяния использовались только рассеяния без выбивания атома-мишени из кристаллической решетки. Рассеяния с выбиванием атома-мишени из решетки учитывались дискретным упругим рассеянием.
In this paper, we propose a method for calculating multiple scattering of ions when passing through thin layers of titanium deuteride in the form of a sum of three Gaussian distributions, the dispersions of which are compared with increasing layer thickness and the found form of the angular distribution of multiple scattering is reduced to a single Gaussian distribution. When calculating single Rutherford scattering, we used only scattering without knocking out of the target atom from the crystal lattice. Scattering with the knocking out of the target atom from the lattice was taken into account by discrete elastic scattering.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.